1N5337B, DO-201, 5W, DO-201, 4.7V

1N5337B, DO-201, 5W, DO-201, 4.7V

Menge
Stückpreis
1-2
0.47€
3-24
0.40€
25-49
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50-99
0.30€
100+
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1N5337B, DO-201, 5W, DO-201, 4.7V. Gehäuse: DO-201. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 4.7V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+200°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodentyp: Zenerdiode. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Leistung: 5W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: THT. RoHS: ja. Toleranz: 5%. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:27

Technische Dokumentation (PDF)
1N5337B
16 Parameter
Gehäuse
DO-201
Pd (Verlustleistung, max)
5W
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-201
Zenerspannung
4.7V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-50...+200°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodentyp
Zenerdiode
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
Diode
Leistung
5W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
THT
RoHS
ja
Toleranz
5%
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor