1N5335B, DO-201, 5W, DO-201, 3.9V
Menge
Stückpreis
1-4
0.42€
5-24
0.36€
25-49
0.31€
50-99
0.29€
100+
0.24€
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1N5335B, DO-201, 5W, DO-201, 3.9V. Gehäuse: DO-201. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 3.9V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodentyp: Zenerdiode. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Leistung: 5W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Toleranz: 5%. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:27
1N5335B
16 Parameter
Gehäuse
DO-201
Pd (Verlustleistung, max)
5W
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-201
Zenerspannung
3.9V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-50...+150°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodentyp
Zenerdiode
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
Diode
Leistung
5W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Toleranz
5%
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor