1N5309

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1N5309. Vorwärtsstrom (AV): 3.3mA. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 100V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diode. Hinweis: Tunneldiode. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 00:25.

Technische Dokumentation