Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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INA114AP

INA114AP

Baudrate: 1 MHz. Spannung: ±18V. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurc...
INA114AP
Baudrate: 1 MHz. Spannung: ±18V. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Spec info: Eingangsoffsetspannung 25uV
INA114AP
Baudrate: 1 MHz. Spannung: ±18V. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Spec info: Eingangsoffsetspannung 25uV
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INA114BP

INA114BP

Baudrate: 1 MHz. Spannung: ±18V. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurc...
INA114BP
Baudrate: 1 MHz. Spannung: ±18V. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Spec info: Eingangsoffsetspannung 10uV
INA114BP
Baudrate: 1 MHz. Spannung: ±18V. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Spec info: Eingangsoffsetspannung 10uV
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INA134PA

INA134PA

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. GehÃ...
INA134PA
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Spec info: VS= ±18V
INA134PA
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Spec info: VS= ±18V
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INA138NA-250

INA138NA-250

Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B38. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil ...
INA138NA-250
Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B38. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23-5. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT23-5. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VCC: 2.7...60V. Versorgungsspannung: 60V. Anzahl der Terminals: 5. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code B38
INA138NA-250
Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B38. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23-5. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT23-5. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VCC: 2.7...60V. Versorgungsspannung: 60V. Anzahl der Terminals: 5. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code B38
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INA169NA

INA169NA

Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A69. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil ...
INA169NA
Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A69. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23-5. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT23-5. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.7...60V. Versorgungsspannung: 75V. Anzahl der Terminals: 5. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code A69
INA169NA
Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A69. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23-5. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT23-5. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.7...60V. Versorgungsspannung: 75V. Anzahl der Terminals: 5. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code A69
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INA193AIDBVR

INA193AIDBVR

RoHS: ja. Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Termin...
INA193AIDBVR
RoHS: ja. Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V
INA193AIDBVR
RoHS: ja. Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V
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IR1167ASPBF

IR1167ASPBF

Funktion: DCM, CrCM and CCM flyback topologies. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (...
IR1167ASPBF
Funktion: DCM, CrCM and CCM flyback topologies. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 970mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. VCC: 11.3...20V. Versorgungsspannung: 20V. Hinweis: LCD & PDP TV, Telecom SMPS. Hinweis: AC-DC Adapters, ATX SMPS, Server SMPS. Hinweis: Vin 10.7V
IR1167ASPBF
Funktion: DCM, CrCM and CCM flyback topologies. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 970mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. VCC: 11.3...20V. Versorgungsspannung: 20V. Hinweis: LCD & PDP TV, Telecom SMPS. Hinweis: AC-DC Adapters, ATX SMPS, Server SMPS. Hinweis: Vin 10.7V
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IR2010

IR2010

RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenb...
IR2010
RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Hinweis: Vout 10V...20V. Anzahl der Terminals: 14. Hinweis: Io +/- 3.0A/3.0A
IR2010
RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Hinweis: Vout 10V...20V. Anzahl der Terminals: 14. Hinweis: Io +/- 3.0A/3.0A
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IR2010S

IR2010S

Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt)...
IR2010S
Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-16. Hinweis: Vout 10V...20V. Anzahl der Terminals: 16. Hinweis: Io +/- 3.0A/3.0A
IR2010S
Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-16. Hinweis: Vout 10V...20V. Anzahl der Terminals: 16. Hinweis: Io +/- 3.0A/3.0A
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IR2011

IR2011

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: PDIP. Geh...
IR2011
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: PDIP. Gehäuse (laut Datenblatt): 300k Ohms. Hinweis: Io+/- 1.0A/1.0A. Hinweis: Vout 10V...20V
IR2011
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: PDIP. Gehäuse (laut Datenblatt): 300k Ohms. Hinweis: Io+/- 1.0A/1.0A. Hinweis: Vout 10V...20V
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IR2011S

IR2011S

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO....
IR2011S
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-8. Hinweis: Io+/- 1.0A/1.0A. Hinweis: Vout 10V...20V
IR2011S
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-8. Hinweis: Io+/- 1.0A/1.0A. Hinweis: Vout 10V...20V
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IR2102SPBF

IR2102SPBF

Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage...
IR2102SPBF
Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Hinweis: Io+ 210mA, Io- 360mA. Hinweis: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A
IR2102SPBF
Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Hinweis: Io+ 210mA, Io- 360mA. Hinweis: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A
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IR2103

IR2103

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. GehÃ...
IR2103
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: Io--130/270mA. Hinweis: Vout 10V...20V
IR2103
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: Io--130/270mA. Hinweis: Vout 10V...20V
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IR2103S

IR2103S

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO....
IR2103S
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: Io--130/270mA. Hinweis: Vout 10V...20V
IR2103S
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: Io--130/270mA. Hinweis: Vout 10V...20V
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IR2104S

IR2104S

Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Geh...
IR2104S
Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: Io--130/270mA. Hinweis: Vout 10V...20V
IR2104S
Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: Io--130/270mA. Hinweis: Vout 10V...20V
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IR2106PBF

IR2106PBF

Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Ins...
IR2106PBF
Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. VCC: 10...20V. Hinweis: Io+ 200mA, Io- 350mA. Hinweis: Vout 10V...20V
IR2106PBF
Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. VCC: 10...20V. Hinweis: Io+ 200mA, Io- 350mA. Hinweis: Vout 10V...20V
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IR2106S

IR2106S

Ausgangsspannung: 10V...20V. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja....
IR2106S
Ausgangsspannung: 10V...20V. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VCC: 10...20V. Spec info: Io+ 200mA, Io- 350mA
IR2106S
Ausgangsspannung: 10V...20V. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VCC: 10...20V. Spec info: Io+ 200mA, Io- 350mA
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IR2109

IR2109

Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchst...
IR2109
Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. VCC: 10...20V. Hinweis: Io+ 200mA, Io- 350mA. Hinweis: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A
IR2109
Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. VCC: 10...20V. Hinweis: Io+ 200mA, Io- 350mA. Hinweis: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A
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IR2110

IR2110

RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenb...
IR2110
RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Hinweis: Vout 10V...20V. Anzahl der Terminals: 14. Hinweis: Io +-2A 2.5A
IR2110
RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Hinweis: Vout 10V...20V. Anzahl der Terminals: 14. Hinweis: Io +-2A 2.5A
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IR2110PBF

IR2110PBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. ...
IR2110PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/500V
IR2110PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/500V
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IR2111

IR2111

Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse:...
IR2111
Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Spec info: Vout 10V...20V, Io 200/420mA
IR2111
Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Spec info: Vout 10V...20V, Io 200/420mA
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IR2111PBF

IR2111PBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. K...
IR2111PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
IR2111PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
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IR2130PBF

IR2130PBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP28. ...
IR2130PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP28. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 28. Schaltungstyp: 3-Phasen-MOSFET/IGBT-Brückentreiber. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
IR2130PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP28. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 28. Schaltungstyp: 3-Phasen-MOSFET/IGBT-Brückentreiber. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
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IR2130SPBF

IR2130SPBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: ...
IR2130SPBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO28W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 28. Schaltungstyp: 3-Phasen-MOSFET/IGBT-Brückentreiber. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
IR2130SPBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO28W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 28. Schaltungstyp: 3-Phasen-MOSFET/IGBT-Brückentreiber. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
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IR21363S

IR21363S

Funktion: MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber. Äquivalente: IR21363SPBF. Konfiguration: SMD. Anzahl der T...
IR21363S
Funktion: MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber. Äquivalente: IR21363SPBF. Konfiguration: SMD. Anzahl der Terminals: 28. Abmessungen: 18.1x7.6x2.33mm. Stromversorgung: 12...20V. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-28. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Spec info: CMOS-IC, in einigen Waschmaschinen
IR21363S
Funktion: MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber. Äquivalente: IR21363SPBF. Konfiguration: SMD. Anzahl der Terminals: 28. Abmessungen: 18.1x7.6x2.33mm. Stromversorgung: 12...20V. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-28. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Spec info: CMOS-IC, in einigen Waschmaschinen
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