Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
Halbleiter Integrierte Schaltkreise
Verschiedene integrierte Schaltkreise

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IR1167ASPBF

IR1167ASPBF

Funktion: DCM, CrCM and CCM flyback topologies. Hinweis: Vin 10.7V. Hinweis: LCD & PDP TV, Telecom S...
IR1167ASPBF
Funktion: DCM, CrCM and CCM flyback topologies. Hinweis: Vin 10.7V. Hinweis: LCD & PDP TV, Telecom SMPS. Hinweis: AC-DC Adapters, ATX SMPS, Server SMPS. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 970mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. VCC: 11.3...20V. Versorgungsspannung: 20V
IR1167ASPBF
Funktion: DCM, CrCM and CCM flyback topologies. Hinweis: Vin 10.7V. Hinweis: LCD & PDP TV, Telecom SMPS. Hinweis: AC-DC Adapters, ATX SMPS, Server SMPS. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 970mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. VCC: 11.3...20V. Versorgungsspannung: 20V
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IR2010

IR2010

Hinweis: Io +/- 3.0A/3.0A. Hinweis: Vout 10V...20V. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Inst...
IR2010
Hinweis: Io +/- 3.0A/3.0A. Hinweis: Vout 10V...20V. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14
IR2010
Hinweis: Io +/- 3.0A/3.0A. Hinweis: Vout 10V...20V. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14
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IR2010S

IR2010S

Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io +/- 3.0A/3.0A. Anzahl der Terminals: 16. Montage/Installation: ...
IR2010S
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io +/- 3.0A/3.0A. Anzahl der Terminals: 16. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-16
IR2010S
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io +/- 3.0A/3.0A. Anzahl der Terminals: 16. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-16
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IR2011

IR2011

Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io+/- 1.0A/1.0A. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: ...
IR2011
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io+/- 1.0A/1.0A. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: PDIP. Gehäuse (laut Datenblatt): 300k Ohms
IR2011
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io+/- 1.0A/1.0A. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: PDIP. Gehäuse (laut Datenblatt): 300k Ohms
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IR2011S

IR2011S

Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io+/- 1.0A/1.0A. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: ...
IR2011S
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io+/- 1.0A/1.0A. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-8
IR2011S
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io+/- 1.0A/1.0A. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-8
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IR2102SPBF

IR2102SPBF

Hinweis: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A. Hinweis: Io+ 210mA, Io- 360mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Tem...
IR2102SPBF
Hinweis: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A. Hinweis: Io+ 210mA, Io- 360mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C
IR2102SPBF
Hinweis: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A. Hinweis: Io+ 210mA, Io- 360mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C
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IR2103

IR2103

Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io--130/270mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Le...
IR2103
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io--130/270mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
IR2103
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io--130/270mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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IR2103S

IR2103S

Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io--130/270mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: ob...
IR2103S
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io--130/270mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
IR2103S
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io--130/270mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
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IR2104S

IR2104S

Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io--130/270mA. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Instal...
IR2104S
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io--130/270mA. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
IR2104S
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io--130/270mA. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
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IR2106PBF

IR2106PBF

Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io+ 200mA, Io- 350mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150Â...
IR2106PBF
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io+ 200mA, Io- 350mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. VCC: 10...20V
IR2106PBF
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io+ 200mA, Io- 350mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. VCC: 10...20V
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IR2106S

IR2106S

Ausgangsspannung: 10V...20V. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja....
IR2106S
Ausgangsspannung: 10V...20V. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Io+ 200mA, Io- 350mA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VCC: 10...20V
IR2106S
Ausgangsspannung: 10V...20V. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Io+ 200mA, Io- 350mA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VCC: 10...20V
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IR2109

IR2109

Hinweis: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A. Hinweis: Io+ 200mA, Io- 350mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Tem...
IR2109
Hinweis: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A. Hinweis: Io+ 200mA, Io- 350mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. VCC: 10...20V
IR2109
Hinweis: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A. Hinweis: Io+ 200mA, Io- 350mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. VCC: 10...20V
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IR2110

IR2110

Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io +-2A 2.5A. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installa...
IR2110
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io +-2A 2.5A. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14
IR2110
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io +-2A 2.5A. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14
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IR2110PBF

IR2110PBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. ...
IR2110PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/500V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C
IR2110PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/500V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C
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IR2111

IR2111

Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: Vout 10V...20V, Io 200/420mA. Montage/Installation: ...
IR2111
Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: Vout 10V...20V, Io 200/420mA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
IR2111
Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: Vout 10V...20V, Io 200/420mA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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IR2111PBF

IR2111PBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. K...
IR2111PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C
IR2111PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C
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IR2130PBF

IR2130PBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP28. ...
IR2130PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP28. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 28. Schaltungstyp: 3-Phasen-MOSFET/IGBT-Brückentreiber. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C
IR2130PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP28. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 28. Schaltungstyp: 3-Phasen-MOSFET/IGBT-Brückentreiber. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C
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IR2130SPBF

IR2130SPBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: ...
IR2130SPBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO28W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 28. Schaltungstyp: 3-Phasen-MOSFET/IGBT-Brückentreiber. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C
IR2130SPBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO28W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 28. Schaltungstyp: 3-Phasen-MOSFET/IGBT-Brückentreiber. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C
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IR21363S

IR21363S

Funktion: MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber. Äquivalente: IR21363SPBF. Konfiguration: SMD. Anzahl der T...
IR21363S
Funktion: MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber. Äquivalente: IR21363SPBF. Konfiguration: SMD. Anzahl der Terminals: 28. Abmessungen: 18.1x7.6x2.33mm. Spec info: CMOS-IC, in einigen Waschmaschinen. Stromversorgung: 12...20V. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-28. Betriebstemperatur: -40...+125°C
IR21363S
Funktion: MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber. Äquivalente: IR21363SPBF. Konfiguration: SMD. Anzahl der Terminals: 28. Abmessungen: 18.1x7.6x2.33mm. Spec info: CMOS-IC, in einigen Waschmaschinen. Stromversorgung: 12...20V. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-28. Betriebstemperatur: -40...+125°C
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IR2153

IR2153

Hinweis: Tr/Tp 80/40ns. Hinweis: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Mo...
IR2153
Hinweis: Tr/Tp 80/40ns. Hinweis: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
IR2153
Hinweis: Tr/Tp 80/40ns. Hinweis: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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IR21531

IR21531

Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: Voffset 600V, Vclamp 15.6V, Tr/Tp 80/40ns. Montage/I...
IR21531
Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: Voffset 600V, Vclamp 15.6V, Tr/Tp 80/40ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
IR21531
Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: Voffset 600V, Vclamp 15.6V, Tr/Tp 80/40ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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IR21531SPBF

IR21531SPBF

Hinweis: Tr/Tp 80/40ns. Hinweis: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Äquivalente: IR21531STRPBF. Anzahl der...
IR21531SPBF
Hinweis: Tr/Tp 80/40ns. Hinweis: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Äquivalente: IR21531STRPBF. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
IR21531SPBF
Hinweis: Tr/Tp 80/40ns. Hinweis: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Äquivalente: IR21531STRPBF. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
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IR2153S

IR2153S

Hinweis: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Hinweis: Tr/Tp 80/40ns. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Mo...
IR2153S
Hinweis: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Hinweis: Tr/Tp 80/40ns. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
IR2153S
Hinweis: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Hinweis: Tr/Tp 80/40ns. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
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IR2155

IR2155

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Hinweis: Voffset 600V, Vout 10V...20V....
IR2155
Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Hinweis: Voffset 600V, Vout 10V...20V. Hinweis: Io 210/420mA. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VCC: -0.3...625V
IR2155
Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Hinweis: Voffset 600V, Vout 10V...20V. Hinweis: Io 210/420mA. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VCC: -0.3...625V
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IR2156

IR2156

Hinweis: Vclamp 15.6V. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchs...
IR2156
Hinweis: Vclamp 15.6V. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14
IR2156
Hinweis: Vclamp 15.6V. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14
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