Überspannungsschutzdioden

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 8V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 8.89V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 9.83V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 50uA @ 8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 9V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 11.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 10uA @ 9V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 9V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 11.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 10uA @ 9V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5.8V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.45V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.14V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Äquivalente: 1.5SMCJ12A. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 12V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Toleranz: 5%

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 13V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Betriebstemperatur: -50...+150°C

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 14V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Betriebstemperatur: -50...+150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 15V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 15V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 16V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Toleranz: 5%

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 18V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 20V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 22.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 18V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 18V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 20V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 22.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 18V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 22V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 24V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 26.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 29.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 24V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 30 v. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 33V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 36.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 33V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 36V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Toleranz: 5%

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 36V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 44.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 36V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 36V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 44.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 36V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 453k Ohms. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.07V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 10V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 453k Ohms. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 453k Ohms. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 6V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.7V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.05V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 2000uA @ 6V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Durchbruchspannung: 6.8V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 6V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.67V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.37V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 6V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C