Überspannungsschutzdioden

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Ubr [V] bei Ibr [A]: 14.2V @ 5mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15.8V @ 5mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.7V @ 5mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 50nA @ 12V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 200W @ 8/20us. Komponentenfamilie: bidirektionaler Entstörer (200 W bei 8/20 µs). Transientenunterdrückertyp: bidirektional, dual. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer (330 W bei 8/20 µs). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-323. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 24V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 25.5V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 30.5 V @ 10 mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 35.5V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 50nA @ 24V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 24V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Ubr [V] bei Ibr [A]: 26.2V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 28V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 30.3V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 10nA @ 24V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 230W @ 8/20us. Komponentenfamilie: bidirektionaler Entstörer (230 W bei 8/20 µs). Transientenunterdrückertyp: bidirektional, dual. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer (160 W bei 8/20 µs). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 36V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Transientenunterdrückertyp: unidirektional, dual. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40V @ 5mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 44V @ 5mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 0.02..1uA @ 30V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 160W @ 8/20us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer (330 W bei 8/20 µs). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 3.3V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Transientenunterdrückertyp: unidirektional, dual. Ubr [V] bei Ibr [A]: 5.2V @ 5mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 5.6V @ 5mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6V @ 5mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 2uA @ 3.3V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 330W @ 8/20us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-323. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 5.8V @ 5mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.8V @ 5mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 8V @ 5mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1nA @ 5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7V @ 5mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5..100nA @ 5V. Komponentenfamilie: bidirektionaler Entstörer (330 W bei 8/20 µs). Transientenunterdrückertyp: bidirektional, dual. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer zum Schutz von TTL-Schaltkreisen (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-523. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 50nA @ 5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 180W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 1uA. Durchbruchspannung: 160V. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.5x6.7mm ). Schwellenspannung Vf (max): 18V. Durchlassspannung Vf (min): 12V. VRRM: 700V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 2

RoHS: ja. Komponentenfamilie: USB-Leitungsschutzunterdrücker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSOP6. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6V @ 1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-523. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6V @ 1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Komponentenfamilie: Überspannungsschutz-Transildiode für Datenleitung (500W @ 8/20us)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Überspannungsschutz-Transildiode für Datenleitung (500W @ 8/20us). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SC-70/6. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6V @ 1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Hinweis: DO-15 (7.6x3.5mm). Hinweis: Transientenunterdrücker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer (300 W bei 8/20 µs). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 24V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 26.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 29V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 24V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 300W @ 8/20us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Leitungsschutzentstörer (400 W bei 8/20us). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Transientenunterdrückertyp: unidirektional, dual. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 15V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 8/20us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Leitungsschutzentstörer (500 W bei 8/20 us). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 24V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Ubr [V] bei Ibr [A]: 26.7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 24V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 500W @ 8/20us. Transientenunterdrückertyp: bidirektional, dual. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-216AA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 3.3V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 3.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 500uA @ 3.3V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 200W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 10.2V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 11.4V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 10.2V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 10.2V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 11.4V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 10.2V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12.8V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 14.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 12.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12.8V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 14.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 12.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15.3V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 17.1V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.9V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 15.3V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15.3V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 17.1V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.9V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 15.3V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 18.8V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 20.9V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 22V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 23.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 18.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 20.5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 22.8V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 24V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 25.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 20.5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C