TEB1033DP

TEB1033DP

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TEB1033DP. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Anzahl der Kreise: 2. Anzahl der Terminals: 8:1. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP8. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +70°C. RoHS: nein. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Stromaufnahme [mA]: 2mA. [V]: -. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:08

Technische Dokumentation (PDF)
TEB1033DP
12 Parameter
Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]
1V/us
Anzahl der Kreise
2
Anzahl der Terminals
8:1
Bandbreite [MHz]
2 MHz
Gehäuse
DIP8
Komponentenfamilie
Operationsverstärker
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+70°C
RoHS
nein
Schaltungstyp
Operationsverstärker mit doppelter Präzision
Stromaufnahme [mA]
2mA
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics