ST02D-82
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.89€ | 3.44€ |
| 5 - 9 | 2.75€ | 3.27€ |
| 10 - 24 | 2.60€ | 3.09€ |
| 25 - 49 | 2.46€ | 2.93€ |
| 50 - 99 | 2.40€ | 2.86€ |
| 100 - 117 | 2.34€ | 2.78€ |
| Menge | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.89€ | 3.44€ |
| 5 - 9 | 2.75€ | 3.27€ |
| 10 - 24 | 2.60€ | 3.09€ |
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| 100 - 117 | 2.34€ | 2.78€ |
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ST02D-82. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1.7A. Durchbruchspannung: 82V. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 5x4mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: 200W (t=1ms). Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.
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Ubr [V] bei Ibr [A]: 82V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 86.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @...
Ubr [V] bei Ibr [A]: 82V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 86.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 70.1V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. VRRM: 82V
Ubr [V] bei Ibr [A]: 82V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 86.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 70.1V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. VRRM: 82V
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