SMCJ6-8A. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 6.8V. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Gehäuse: DO-214. Halbleitermaterial: Silizium. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Toleranz: 5%. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:00