Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 9 | 0.14€ | 0.17€ |
10 - 24 | 0.13€ | 0.15€ |
25 - 49 | 0.13€ | 0.15€ |
50 - 99 | 0.12€ | 0.14€ |
100 - 249 | 0.11€ | 0.13€ |
250 - 499 | 0.11€ | 0.13€ |
500 - 14445 | 0.0994€ | 0.1183€ |
Menge | U.P | |
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1 - 9 | 0.14€ | 0.17€ |
10 - 24 | 0.13€ | 0.15€ |
25 - 49 | 0.13€ | 0.15€ |
50 - 99 | 0.12€ | 0.14€ |
100 - 249 | 0.11€ | 0.13€ |
250 - 499 | 0.11€ | 0.13€ |
500 - 14445 | 0.0994€ | 0.1183€ |
SMBJ5-0A. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 100A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: KD. Durchbruchspannung: 5V. Pd (Verlustleistung, max): 600W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code KD. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.
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