SMBJ36A. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodentyp: TVS. Durchbruchspannung: 36V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Eigenschaften des Halbleiters: "Glas passiviert". Funktion: Schutz gegen Überspannung. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Gehäuse: DO-214. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: unidirektional. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 36V. IFSM: 100A. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 36V. Leckstrom: 1uA. Leistung: 600W. Max Rückspannung: 36V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 600W. Pulsstrom max.: 10.3A. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Toleranz: 5%. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 44.2V @ 1mA. VRRM: 36V. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:00