SMBJ30A-E3-52

SMBJ30A-E3-52

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Stückpreis
1-99
0.38€
100+
0.27€
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SMBJ30A-E3-52. Anzahl der Terminals: 2. Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 30 v. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 30V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600 W @ 1ms. RoHS: ja. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 36.8V @ 1mA. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (general Semiconductor). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:08

Technische Dokumentation (PDF)
SMBJ30A-E3-52
12 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Gehäuse
SMB
Haltespannung in Schließrichtung [V]
30 v
Komponentenfamilie
Transientenunterdrückungsdiode
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
1uA @ 30V
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
600 W @ 1ms
RoHS
ja
Transientenunterdrückertyp
unidirektional
Ubr [V] bei Ibr [A]
36.8V @ 1mA
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay (general Semiconductor)