Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 9 | 0.27€ | 0.32€ |
10 - 24 | 0.25€ | 0.30€ |
25 - 49 | 0.24€ | 0.29€ |
50 - 97 | 0.24€ | 0.29€ |
Menge | U.P | |
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1 - 9 | 0.27€ | 0.32€ |
10 - 24 | 0.25€ | 0.30€ |
25 - 49 | 0.24€ | 0.29€ |
50 - 97 | 0.24€ | 0.29€ |
SMBJ12A. RoHS: ja. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schutz gegen Überspannung. IFSM: 100A. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code LE. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: LE. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 12V. Pd (Verlustleistung, max): 600W. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Originalprodukt vom Hersteller Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 12:25.
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