SM6T6V8CA

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SM6T6V8CA. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 6.8V, 6.45V. Gehäuse: SMB. Halbleiterstruktur: bidirektional. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5.8V. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5.8V. Leckstrom: 50uA. Leistung: 600W. Max Rückspannung: 5.8V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Montage/Installation: SMD. Pulsstrom max.: 57A, 298A. RoHS: ja. Toleranz: 5%. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.14V @ 10mA. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:04

Technische Dokumentation (PDF)
SM6T6V8CA
20 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Durchbruchspannung
6.8V, 6.45V
Gehäuse
SMB
Halbleiterstruktur
bidirektional
Haltespannung in Schließrichtung [V]
5.8V
Komponentenfamilie
Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD)
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
1000uA @ 5.8V
Leckstrom
50uA
Leistung
600W
Max Rückspannung
5.8V
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
600W @ 1ms
Montage/Installation
SMD
Pulsstrom max.
57A, 298A
RoHS
ja
Toleranz
5%
Transientenunterdrückertyp
bidirektional
Ubr [V] bei Ibr [A]
7.14V @ 10mA
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics