Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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RURG80100

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RURG80100. Vorwärtsstrom (AV): 80A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-2. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 125 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 250uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Funktion: Ultraschnelle Diode. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 09:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1000V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Pd (Verlustleistung, max): 189W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C
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Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1000V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Pd (Verlustleistung, max): 189W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C
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