Optokoppler

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Dual-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 2. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Darlington NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5kV. Rate: 800 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 18V. Nenneingangsstrom (mA): 40uA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 65us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 70us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Hinweis: 10000 CMR LF 300mil. Hinweis: Optokoppler, Isolationsverstärker. Ausgang: mit isoliertem Verstärker, IC-Ausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Teilung: 7.62mm. RoHS: ja. Teilung: 7.56mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

RoHS: ja. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Funktion: Optokoppler, Isolationsverstärker. Produktionsdatum: 2014/38. Hinweis: 10000 CMR LF 300mil. Ausgang: mit isoliertem Verstärker, IC-Ausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Teilung: 7.62mm. Teilung: 7.56mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SDIP4. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 50 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 4us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 4us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO16. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Optokopplertyp: Digitaler Trenner. Anzahl der Kreise: 2. Art des Eingangs: Digital. Ausgangstyp: Digital. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 5.5V. Einschaltzeit tr [µsec.]: 15 ns. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 15 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Optokoppler, IGBT-Treiber. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: IGBT -Transistor -Treiberschaltung. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 30 v. Nenneingangsstrom (mA): 7mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 500 ns. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 500 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

CTR: 100...200 %. Diode IF: 60mA. Diodenleistung: 90mW. Diodenschwellenspannung: 1.3V. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 3us. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vebo: 7V. VECO: 7V. VRRM: 4000V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOIC-8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 4 kV. Rate: 100 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Optokoppler, lineare Übertragung. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: Linear. Maximale Ausgangsspannung (V): 50V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Optokoppler, lineare Übertragung. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: Linear. Maximale Ausgangsspannung (V): 50V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Linearer Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Fotodiode. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: Linear. Maximale Ausgangsspannung (V): 50V. Nenneingangsstrom (mA): 60mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Optokoppler, lineare Übertragung. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: Linear. Maximale Ausgangsspannung (V): 50V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Linearer Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Fotodiode. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: Linear. Maximale Ausgangsspannung (V): 50V. Nenneingangsstrom (mA): 60mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Funktion: Optokoppler, Phototriac-Ausgang, hoher dV/dt. IT(RSM) (TC=85°C): 300mA. Ausgang: Triac-Ausgang. Anzahl der Terminals: 6. RoHS: ja. Spec info: Mit Nulldurchgangsschaltung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VDRM: 850V. VRRM: 5.3 kV

RoHS: ja. Maximale Ausgangsspannung (V): 600V. Nenneingangsstrom (mA): 2mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 35us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Funktion: Optokoppler, Phototriac-Ausgang, hoher dV/dt. Hinweis: VDRM 600V, IT(RMS) 300mA. Ausgang: Triac-Ausgang. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 2.54mm. Spec info: Mit Nulldurchgangsschaltung. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VRRM: 5300V

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Optokoppler, Phototriac-Ausgang, hoher dV/dt. Hinweis: VDRM 600V, IT(RMS) 300mA. Ausgang: Triac-Ausgang. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 2.54mm. RoHS: ja. Spec info: Mit Nulldurchgangsschaltung. Gewicht: 0.431g. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VRRM: 5300V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6 400 mil. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Optokopplertyp: Optotriac. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: TRIAC. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 600V. Nenneingangsstrom (mA): 2mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 35us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Funktion: Optokoppler, Phototriac-Ausgang, hoher dV/dt. Hinweis: VDRM 800V, IT(RMS) 300mA. Ausgang: Triac-Ausgang. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 2.54mm. RoHS: ja. Spec info: Mit Nulldurchgangsschaltung. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VRRM: 5300V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 12.5 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 50V. Nenneingangsstrom (mA): 16mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

CTR: 40...80 %. Diode IF: 30mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 50mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Hinweis: CTR min 40 (IF=10mA, VCE=5.0V). Hinweis: 2-Kanal. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 125mW. RoHS: ja. Spec info: Isolationsprüfspannung 4000 V (1 s). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO-8. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. Vrms: 4000V

CTR: 63...125 %. Diode IF: 30mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 50mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Hinweis: CTR min 63 (IF=10mA, VCE=5.0V). Hinweis: 2-Kanal. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 125mW. RoHS: ja. Spec info: Isolationsprüfspannung 4000 V (1 s). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO-8. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. Vrms: 4000V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOIC-8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Dual-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 2. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 4 kV. Rate: 63 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 6us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 5us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Dual-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 2. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Darlington NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 100 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 30 v. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 10us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 35us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Dual-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 2. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 12.5 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 50V. Nenneingangsstrom (mA): 16mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): CTR min--12.5 (IF=16mA, VCE=5.0V). VECO: 5V. Vrms: 5300V

CTR: 200 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 2.5A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Maximaler hFE-Gewinn: 1800. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 400mA. Hinweis: CTR min--100, max--500 (IF=10mA, VCE=10V). Hinweis: 4 Kanäle. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 16. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: Viso 5300V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 2.2us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-16. Tr: 2.6us. Betriebstemperatur: -40...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vrms: 5.3 kV