Optische Sensoren

Funktion: optische Schalter, durchlässig, Fototransistor-Ausgang. Wellenlänge (dominant): 890nm. Abmessungen: 8,89 x 5,3 x 8,38 mm, Schlitzbreite 3,8 mm. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+100°C. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 24V

Wellenlänge (dominant): 890nm. Abmessungen: 15.24x6.35x10.67mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+85°C

Sensortyp: Fotounterbrecher

Plattenausschnitt/Bohrung: 12.2mm. Beschichtungsmaterial: Nickel. Funktion: Induktionssensor. Länge: 66mm. Frequenz: max. Ausgang: NAMUR, Schaltabstand 0...2mm. RoHS: ja. Gewicht: 64g. Stromversorgung: 7...18VDC. Betriebstemperatur: -25...+60°C. Schutz: IP67

Plattenausschnitt/Bohrung: 12.2mm. Beschichtungsmaterial: Nickel. Funktion: Induktionssensor. Länge: 66mm. Frequenz: max. Ausgang: NAMUR, Schaltabstand 0...2mm. RoHS: ja. Gewicht: 64g. Stromversorgung: 7...18VDC. Betriebstemperatur: -25...+60°C. Schutz: IP67

RoHS: ja. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: vertikale Montage. Konfiguration: Kabel. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Gabel-Optokoppler (Gabelsensor). Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Gabelhöhe: 6mm. Nenneingangsstrom (mA): 15mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 20us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 80us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +55°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: vertikale Montage. Konfiguration: Kabel. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Gabel-Optokoppler (Gabelsensor). Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Gabelhöhe: 6mm. Nenneingangsstrom (mA): 15mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 80us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 80us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +55°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: vertikale Montage. Konfiguration: Kabel. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Gabel-Optokoppler (Gabelsensor). Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: PNP-Transistor. Gabelhöhe: 6mm. Nenneingangsstrom (mA): 15mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 80us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 80us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +55°C

Diode IF: 50mA. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.7V. Wellenlänge (dominant): 940nm. Hinweis: optische Gabel. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Stromversorgung: 5V 50mA. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v

Diode IF: 50mA. Diodenleistung: 75mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Wellenlänge (dominant): 940nm. Hinweis: optische Gabel. Hinweis: Reel Sensor. Ausgang: Reflektierend, Fototransistor-Ausgang. Abmessungen: 3.6x2.9x1.7mm. Pd (Verlustleistung, max): 50mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Stromversorgung: 5V 50mA. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: vertikale Montage. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: reflektierender Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Gabelhöhe: optischer Infrarot-Reflexionssensor. Maximale Ausgangsspannung (V): 30 v. Nenneingangsstrom (mA): 20mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 15us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 15us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: vertikale Montage, horizontale Aufnahme. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: reflektierender Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Gabelhöhe: optischer Infrarot-Reflexionssensor. Maximale Ausgangsspannung (V): 32V. Nenneingangsstrom (mA): 50mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): ja

Vorwärtsstrom (RMS): 50mA. RoHS: ja. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vr: 5V. Wellenlänge (dominant): 940nm. Kollektorstrom: 100mA

RoHS: ja. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: vertikale Montage. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Gabel-Optokoppler (Gabelsensor). Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Gabelhöhe: 3.1mm. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 60mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 15us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 10us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25...1.6V. Diodenschwellenspannung: 6V. Funktion: Transmissiver optischer Sensor mit Fototransistor-Ausgang. Wellenlänge (dominant): 950nm. Kollektorstrom: 4mA. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: Öffnung 3,1 mm, Sensorabstand 1,0 mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. CTR: 10...20 %. Diode IF: 60mA

RoHS: ja. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: vertikale Montage. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Gabel-Optokoppler (Gabelsensor). Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Gabelhöhe: 3.2mm. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 20mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 10us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 8us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

CTR: 1.25...2.6 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25...1.6V. Diodenschwellenspannung: 6V. Funktion: Transmissiver optischer Sensor mit Fototransistor-Ausgang. Wellenlänge (dominant): 950nm. Kollektorstrom: 0.5mA. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: Öffnung 3,1 mm, Sensorabstand 0,25 mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V

CTR: 10 - 20 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25...1.6V. Diodenschwellenspannung: 6V. Funktion: Transmissiver optischer Sensor mit Fototransistor-Ausgang. Wellenlänge (dominant): 950nm. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: Öffnung 3,1 mm, Sensorabstand 0,6 mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tr: 8...10us. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: vertikale Montage. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Gabel-Optokoppler (Gabelsensor). Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Gabelhöhe: 3.1mm. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 20mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 10us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 8us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Hinweis: optische Gabel