MOSFET-Steuerung

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP18. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 18. Schaltungstyp: Transistorarray. Anzahl der Kreise: 8:1. Art des Eingangs: 0.6V/2.5V. Maximaler Ausgangsstrom (A): 0.5A. Maximale Ausgangsspannung: 50V. Maximale Versorgungsspannung (V): +50V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Serie: n/a. Typ: "Fahrschaltungen". Ausgangsstrom: 0.5A. Montageart: THT. Gehäuse: DIP18. MSL: n/a. Information: n/a

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 2. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 2. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Hinweis: High-Speed. Hinweis: Non Inverting. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Hinweis: High-Speed. Hinweis: Non Inverting. RoHS: ja. Betriebstemperatur: -40...+85°C

Hinweis: High-Speed. Hinweis: Inverting. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Hinweis: High-Speed. Hinweis: Non Inverting. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -40...+85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Hinweis: High-Speed. Hinweis: Non Inverting. RoHS: ja. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C

Funktion: 3A Dual MOSFET Driver, Inverting. Hinweis: High-Speed. Hinweis: Dual Inverting. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: PDIP. Gehäuse (laut Datenblatt): 300k Ohms. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Funktion: 3A Dual-MOSFET-Treiber, Hochgeschwindigkeit. Hinweis: Dual Non Inverting. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C

RoHS: ja. Hinweis: High-Speed. Hinweis: Dual Non Inverting. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: PDIP. Gehäuse (laut Datenblatt): 300k Ohms. Betriebstemperatur: -40...+85°C

Hinweis: High-Speed. Hinweis: Inverting. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: PDIP. Gehäuse (laut Datenblatt): 300k Ohms. Betriebstemperatur: -40...+85°C

Hinweis: High-Speed. Hinweis: Inverting. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C

Hinweis: High-Speed. Hinweis: Non Inverting. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C

Konditionierung: Kunststoffrohr. Hinweis: High-Speed. Hinweis: Non Inverting. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: MSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): MSOP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. Hinweis: High-Speed. Hinweis: Non Inverting. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C

Hinweis: High-Speed. Hinweis: inverting/Non inverting. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C

Hinweis: High-Speed. Hinweis: inverting/Non inverting. Äquivalente: TC4428ACPA (0...+70°C). Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C

RoHS: ja. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Hinweis: High-Speed. Hinweis: Inverting. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Hinweis: High-Speed. Hinweis: Inverting. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C

Funktion: 1 x MOSFET Gate Driver. Hinweis: Inverting. Hinweis: High-Speed. Hinweis: délais courts < 78ns. Hinweis: ESD-geschützt 4 kV. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 470mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C. VCC: 4.5...30V. Versorgungsspannung: 36V

RoHS: ja. Anzahl der Terminals: 5. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Funktion: MOSFET-Leistungstreiber. Anzahl der Terminals: 5. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-5