MC33202DR2G
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MC33202DR2G. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Anzahl der Kreise: 2. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der operativen Verstärker: 2. Ausgangstyp: Rail-to-Rail-Ausgang. Bandbreite [MHz]: 2.2 MHz. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: SO-8. Geringe Leistung: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +105°C. RoHS: ja. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Stromaufnahme [mA]: 2.25mA. [V]: -. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:57
MC33202DR2G
15 Parameter
Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]
1V/us
Anzahl der Kreise
2
Anzahl der Terminals
8:1
Anzahl der operativen Verstärker
2
Ausgangstyp
Rail-to-Rail-Ausgang
Bandbreite [MHz]
2.2 MHz
Gehäuse
SO-8
Geringe Leistung
ja
Komponentenfamilie
Operationsverstärker
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+105°C
RoHS
ja
Schaltungstyp
Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke
Stromaufnahme [mA]
2.25mA
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi