M51387P. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: -. Anzahl der Kreise: -. Anzahl der Terminals: 30. Art des Eingangs: -. Bandbreite [MHz]: -. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP30. Komponentenfamilie: -. Konfiguration: -. Maximale Ausgangsspannung: -. Maximale Temperatur: -. Maximaler Ausgangsstrom: -. RoHS: nein. Schaltgeschwindigkeit [ns]: -. Schaltungstyp: -. Schnittstellentyp: -. Speichergröße [Byte]: -. Speicherkonfiguration: -. Speicherschaltkreisfamilie: -. Stromaufnahme [mA]: -. Verstärkungsklasse: -. Widerstand: -. [A]: -. [MHz]: -. [V]: -.. [W]: -. Originalprodukt vom Hersteller: Mitsubishi Electric Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 10:20