Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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LTV817A

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LTV817A. CTR: 80...160 %. Diode IF: 50mA. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Tr: 4us. Betriebstemperatur: -30...+110°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. VECO: 6V. VRRM: 5000V. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 22:25.

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PC817X1J000F

PC817X1J000F

CTR: 80...160 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwelle...
PC817X1J000F
CTR: 80...160 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 30mA. Hinweis: Vceo 35V. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: PC817A. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Tr: 4us. Betriebstemperatur: -30...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5000V
PC817X1J000F
CTR: 80...160 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 30mA. Hinweis: Vceo 35V. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: PC817A. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Tr: 4us. Betriebstemperatur: -30...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5000V
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