K6R1008C1D-TC10

K6R1008C1D-TC10. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSOP2-32. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 32. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff. Speicherschaltkreisfamilie: K6R. Speichergröße [Byte]: 128 KByte. Speicherkonfiguration: 128K x 8-bit. Maximales Taktsignal (MHz): 10 ns. Schnittstellentyp: Parallel. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Originalprodukt vom Hersteller Samsung. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 13:25.