IRS2153DSPBF
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IRS2153DSPBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: SO8. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +125°C.. RoHS: ja. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. [V]: +600V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:48
IRS2153DSPBF
10 Parameter
Anzahl der Kreise
1
Anzahl der Terminals
8:1
Gehäuse
SO8
Komponentenfamilie
MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+125°C.
RoHS
ja
Schaltungstyp
Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung
[V]
+600V
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon