IR2112
Menge
Stückpreis
1-4
3.17€
5-24
2.86€
25-49
2.54€
50+
2.27€
| +3 weitere Stück ab Lager lieferbar (Lieferung innerhalb von 4 Stunden). Kontaktieren Sie uns für Preise und Verfügbarkeit! | |
| Menge auf Lager: 61 |
IR2112. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 105ns, 145ns. Anzahl der Ausgänge: 2. Anzahl der Kanäle: 2. Anzahl der Terminals: 14. Ausgangsspannung: 620V. Ausgangsstrom (max): 0.2A...0.42A. Ausgangsstrom: 250mA. -420...200mA. Betriebstemperatur: -40...125°C. Funktion: MOSFET-Halbbrücke. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Gehäuse: DIP. Konditionierung: tubus. Leistung: 1.6W. Montage/Installation: THT. RoHS: ja. Spannungsklasse: 600V. Spannungsversorgung: 10...20VDC. Technologie: MOSFET. Zeitschaltzeit: 125ns, 205ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:31
IR2112
20 Parameter
Abschaltverzögerung tf [μsec.]
105ns, 145ns
Anzahl der Ausgänge
2
Anzahl der Kanäle
2
Anzahl der Terminals
14
Ausgangsspannung
620V
Ausgangsstrom (max)
0.2A...0.42A
Ausgangsstrom
250mA
Betriebstemperatur
-40...125°C
Funktion
MOSFET-Halbbrücke
Gehäuse (laut Datenblatt)
DIP-14
Gehäuse
DIP
Konditionierung
tubus
Leistung
1.6W
Montage/Installation
THT
RoHS
ja
Spannungsklasse
600V
Spannungsversorgung
10...20VDC
Technologie
MOSFET
Zeitschaltzeit
125ns, 205ns
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies