IR2101STRPBF
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IR2101STRPBF. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 150ns. Anzahl der Kanäle: 2. Art der integrierten Schaltung: Treiber. Ausgangsstrom: -270...130mA. Betriebstemperatur: -40...125°C. Funktion: MOSFET-Halbbrücke. Gehäuse: SO8. Leistung: 0.625W. Montage/Installation: SMD. RoHS: ja. Spannungsklasse: 600V. Spannungsversorgung: 10...20VDC. Zeitschaltzeit: 160ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 11/11/2025, 09:22
IR2101STRPBF
14 Parameter
Abschaltverzögerung tf [μsec.]
150ns
Anzahl der Kanäle
2
Art der integrierten Schaltung
Treiber
Ausgangsstrom
-270...130mA
Betriebstemperatur
-40...125°C
Funktion
MOSFET-Halbbrücke
Gehäuse
SO8
Leistung
0.625W
Montage/Installation
SMD
RoHS
ja
Spannungsklasse
600V
Spannungsversorgung
10...20VDC
Zeitschaltzeit
160ns
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies