IR2010PBF
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IR2010PBF. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 65ns. Anzahl der Kanäle: 2. Ausgangsstrom: -3...3A. Betriebstemperatur: -40...125°C. Funktion: MOSFET-Halbbrücke. Gehäuse: DIP14. Konditionierung: tubus. Leistung: 1.6W. Montage/Installation: THT. RoHS: ja. Spannungsklasse: 200V. Spannungsversorgung: 10...20VDC. Zeitschaltzeit: 95ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 01/02/2026, 09:11
IR2010PBF
14 Parameter
Abschaltverzögerung tf [μsec.]
65ns
Anzahl der Kanäle
2
Ausgangsstrom
-3...3A
Betriebstemperatur
-40...125°C
Funktion
MOSFET-Halbbrücke
Gehäuse
DIP14
Konditionierung
tubus
Leistung
1.6W
Montage/Installation
THT
RoHS
ja
Spannungsklasse
200V
Spannungsversorgung
10...20VDC
Zeitschaltzeit
95ns
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon (irf)