Fototransistoren und Fotodioden (Empfang)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: PIN-Fotodiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Dominante Wellenlänge [nm]: 900nm. Schließspannung Ur[V], max.: 32V. Einschaltstrom, Dunkelstrom Ir [µA]: 30nA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±60°. Einschaltzeit tr [µsec.]: 20 ns. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 20 ns. Außendurchmesser [mm]: 5.1mm. Außenlänge [mm]: 6.9mm. Außenbreite [mm]: 5.1mm. Außenstärke [mm]: 5.1mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Hinweis: 860nm 24°

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Fototransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 3mm (T-1). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Dominante Wellenlänge [nm]: 860nm. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15mA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±12°. Einschaltzeit tr [µsec.]: 8us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 8us. Außendurchmesser [mm]: 3 mm. Außenlänge [mm]: 5.2mm. Außenbreite [mm]: 4mm. Außenstärke [mm]: 4mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Fototransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 3mm (T-1). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Dominante Wellenlänge [nm]: 900nm. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15mA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±12°. Einschaltzeit tr [µsec.]: 7us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 7us. Außendurchmesser [mm]: 3 mm. Außenlänge [mm]: 5.2mm. Außenbreite [mm]: 4mm. Außenstärke [mm]: 4mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Kollektorstrom: 15mA. Ic(Impuls): 75mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: PLCC. Gehäuse (laut Datenblatt): PLCC-2. Betriebstemperatur: -40...+100°C. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Fototransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 3mm (T-1). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Dominante Wellenlänge [nm]: 570nm. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 6V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±30°. Außendurchmesser [mm]: 3 mm. Außenlänge [mm]: 4.4mm. Außenbreite [mm]: 3.2mm. Außenstärke [mm]: 3.2mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Fototransistor. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 3.5x2.8x1.75mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Dominante Wellenlänge [nm]: 940nm. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 70V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±60°. Einschaltzeit tr [µsec.]: 6us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 6us. Außenlänge [mm]: 3.5mm. Außenbreite [mm]: 2.8mm. Außenstärke [mm]: 1.75mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C