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Diac DB3
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50-99
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100-199
0.0403€
200+
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Diac DB3. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Durchbruchspannung: 28...36V. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AH. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35 ( 4.5x2.0mm ). Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Halbleitertyp: Diac. Herstellerkennzeichnung: -. Hinweis: IBO--50uA (C=22nF). Itr[A]: 50uA. Komponentenfamilie: Diac. Konditionierung: Ammo Pack. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Max Rückspannung: 28V. Maximale Temperatur: +100°C.. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: nein. Strom fahren: 2A. Ubr [V]: 36V. Verpackung: Ammo Pack. Äquivalente: DB3/H5. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 01:14
DB3
23 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-40...+125°C
Durchbruchspannung
28...36V
Gehäuse (JEDEC-Standard)
DO-204AH
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-35 ( 4.5x2.0mm )
Gehäuse
DO-35 ( SOD27 )
Halbleitertyp
Diac
Hinweis
IBO--50uA (C=22nF)
Itr[A]
50uA
Komponentenfamilie
Diac
Konditionierung
Ammo Pack
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Max Rückspannung
28V
Maximale Temperatur
+100°C.
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
nein
Strom fahren
2A
Ubr [V]
36V
Verpackung
Ammo Pack
Äquivalente
DB3/H5
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor
Mindestmenge
10