BZW06-5V8B

BZW06-5V8B

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BZW06-5V8B. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: bidirektional. Durchbruchspannung (Min): 6.45V. Funktion: Überspannungsschutz, bidirektionale Schutzdiode. Gehäuse: DO-15. Halbleitermaterial: Silizium. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5.8V. Hinweis: 0.6kW (VWM 5.8V). Information: -. Komponentenfamilie: Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5.8V. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600 W @ 1ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. RoHS: ja. Rückwärts-Abstandsspannung: 5.8V. Serie: BZW06. Spannung: 10.5V. Spitzenimpulsstrom (10/1000us): 57A. Spitzenverlustleistung: 600W. Struktur: bidirektional. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.14V @ 10mA. VRRM: 5.8V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:38

Technische Dokumentation (PDF)
BZW06-5V8B
27 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Dielektrische Struktur
bidirektional
Durchbruchspannung (Min)
6.45V
Funktion
Überspannungsschutz, bidirektionale Schutzdiode
Gehäuse
DO-15
Halbleitermaterial
Silizium
Haltespannung in Schließrichtung [V]
5.8V
Hinweis
0.6kW (VWM 5.8V)
Komponentenfamilie
Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms)
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
1000uA @ 5.8V
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
600 W @ 1ms
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
THT
RoHS
ja
Rückwärts-Abstandsspannung
5.8V
Serie
BZW06
Spannung
10.5V
Spitzenimpulsstrom (10/1000us)
57A
Spitzenverlustleistung
600W
Struktur
bidirektional
Transientenunterdrückertyp
bidirektional
Ubr [V] bei Ibr [A]
7.14V @ 10mA
VRRM
5.8V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics