BZW06-13

BZW06-13

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5-49
0.23€
50-99
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100-199
0.18€
200+
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BZW06-13. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung (Min): 14.3V. Durchbruchspannung: 13V. Funktion: Überspannungsschutz, unidirektionale Schutzdiode. Gehäuse: DO-15. Halbleitermaterial: Silizium. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12.8V. Information: -. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der Serie BZW 06 (600 W bei 1 ms). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 12.8V. Leistung: 600W / 1mS. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600 W @ 1ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. RoHS: ja. Rückwärts-Abstandsspannung: 12.8V. Serie: BZW06. Spec info: 0.6kW (VWM 12.8V). Spitzenimpulsstrom (10/1000us): 28A. Spitzenverlustleistung: 600W. Struktur: unidirektional. Toleranz: 5%. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15.8V @ 1mA. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:38

Technische Dokumentation (PDF)
BZW06-13
27 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Dielektrische Struktur
unidirektional
Durchbruchspannung (Min)
14.3V
Durchbruchspannung
13V
Funktion
Überspannungsschutz, unidirektionale Schutzdiode
Gehäuse
DO-15
Halbleitermaterial
Silizium
Haltespannung in Schließrichtung [V]
12.8V
Komponentenfamilie
Unidirektionaler Entstörer der Serie BZW 06 (600 W bei 1 ms)
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 12.8V
Leistung
600W / 1mS
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
600 W @ 1ms
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
THT
RoHS
ja
Rückwärts-Abstandsspannung
12.8V
Serie
BZW06
Spec info
0.6kW (VWM 12.8V)
Spitzenimpulsstrom (10/1000us)
28A
Spitzenverlustleistung
600W
Struktur
unidirektional
Toleranz
5%
Transientenunterdrückertyp
unidirektional
Ubr [V] bei Ibr [A]
15.8V @ 1mA
Originalprodukt vom Hersteller
Taiwan Semiconductor