Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Überspannungsschutzdioden

BZT03C150

BZT03C150
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BZT03C150. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Durchbruchspannung: 150V. Abmessungen: 4.57x3.81mm. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Toleranz: 5%. Zenerspannung: 150V. Originalprodukt vom Hersteller Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 23:25.

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Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 150V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Ubr [V] bei Ibr [A]: 150V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 158V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 128V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 128V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 143V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 150V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 158V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 128V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V
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