BTW69-1200. Aktuelle Ih halten: 150mA. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Auf Status Current It RMS: 50A. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Effektiver Strom (periodisch) Iav [A], max.: 32A. Es ist M: 580A. Funktion: 50 Hz. Gate-Triggerspannung Vgt: 1.3V. Gate-Triggerstrom Igt: 80mA. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P insulated. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Herstellerkennzeichnung: BTW691200. Hinweis: Isolierung 2500V RMS. IT(AV): 32A. IT(RSM) (TC=85°C): 50A. Igm[A]: 80mA. Igt (Typ): 8mA. Igt (max): 80mA. Ih (max): 150mA. Information: n/a. Komponentenfamilie: Hochleistungsthyristor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. MSL: n/a. Maximale Temperatur: +125°C.. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Serie: n/a. Spec info: Itsm--610Ap (tp=8.3ms). Spitzenspannung (repetitiv) Urrm [V]: 1.2 kV. Spitzenstrom (nicht repetitiv) IP [a]: 580A. Spitzentransientenstrom Itsm: 610A. VDRM: 1200V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:31