BT151S-500R-118

BT151S-500R-118

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BT151S-500R-118. Anzahl der Terminals: 3. Effektiver Strom (periodisch) Iav [A], max.: 7.5A. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252N. Gehäuse: D-PAK. Herstellerkennzeichnung: -. Igm[A]: 15mA. Komponentenfamilie: Thyristor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +125°C.. RoHS: ja. Spitzenspannung (repetitiv) Urrm [V]: 500V. Spitzenstrom (nicht repetitiv) IP [a]: 132A. Originalprodukt vom Hersteller: Ween Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:22

Technische Dokumentation (PDF)
BT151S-500R-118
12 Parameter
Anzahl der Terminals
3
Effektiver Strom (periodisch) Iav [A], max.
7.5A
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-252N
Gehäuse
D-PAK
Igm[A]
15mA
Komponentenfamilie
Thyristor
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+125°C.
RoHS
ja
Spitzenspannung (repetitiv) Urrm [V]
500V
Spitzenstrom (nicht repetitiv) IP [a]
132A
Originalprodukt vom Hersteller
Ween Semiconductor