Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 9 | 0.46€ | 0.55€ |
10 - 24 | 0.44€ | 0.52€ |
25 - 49 | 0.42€ | 0.50€ |
50 - 99 | 0.39€ | 0.46€ |
100 - 139 | 0.39€ | 0.46€ |
Menge | U.P | |
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1 - 9 | 0.46€ | 0.55€ |
10 - 24 | 0.44€ | 0.52€ |
25 - 49 | 0.42€ | 0.50€ |
50 - 99 | 0.39€ | 0.46€ |
100 - 139 | 0.39€ | 0.46€ |
4N28. CTR: 10...30 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.3V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 2us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VCBO: 70V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 7V. VECO: 7V. Vrms: 5000V. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Iceo 10nA. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 13:25.
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