4N28. Anzahl der Terminals: 6. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Betriebstemperatur: -55...+100°C. CTR: 10...30 %. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diode IF: 60mA. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.3V. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Gehäuse: DIP. Hinweis: Iceo 10nA. Ic(Impuls): 100mA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Kollektorstrom: 50mA. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Tf (Typ): 2us. VCBO: 70V. VECO: 7V. Vebo: 7V. Vrms: 5000V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 00:30