4N25-LIT. Anzahl der Terminals: 6. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Betriebstemperatur: -55...+100°C. CTR: 20...50 %. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diode IF: 60mA. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Gehäuse: DIP. Ic(Impuls): 100mA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Kollektorstrom: 50mA. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Tf (Typ): 3us. VCBO: 80V. VRRM: 5000V. Vebo: 7V. Äquivalente: LTV-4N25. Originalprodukt vom Hersteller: Lite-on. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 00:30