2N6075BG, 4A, TO-126, 600V, 600V

2N6075BG, 4A, TO-126, 600V, 600V

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2N6075BG, 4A, TO-126, 600V, 600V. Maximaler Dauerstrom: 4A. Gehäuse: TO-126. VDRM: 600V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Spitzenspannung (repetitiv) Urrm [V]: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Effektiver Strom (periodisch) Iav [A], max.: 4A. Eigenschaften des Halbleiters: Sensibles Tor. Gate-Triggerstrom Igt: 3mA. Herstellerkennzeichnung: 2N6075BG. Igm1 [A]: 15mA. Igm2 [A]: -15mA. Igm3 [A]: -15mA. Igm4 [A]: 20mA. Komponentenfamilie: Standard-Triacs. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +110°C.. RoHS: ja. Spitzenstrom (nicht repetitiv) IP [a]: 30A. Typ: TRIAC. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:05

Technische Dokumentation (PDF)
2N6075BG
20 Parameter
Maximaler Dauerstrom
4A
Gehäuse
TO-126
VDRM
600V
Spitzenspannung (repetitiv) Urrm [V]
600V
Anzahl der Terminals
3
Effektiver Strom (periodisch) Iav [A], max.
4A
Eigenschaften des Halbleiters
Sensibles Tor
Gate-Triggerstrom Igt
3mA
Herstellerkennzeichnung
2N6075BG
Igm1 [A]
15mA
Igm2 [A]
-15mA
Igm3 [A]
-15mA
Igm4 [A]
20mA
Komponentenfamilie
Standard-Triacs
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+110°C.
RoHS
ja
Spitzenstrom (nicht repetitiv) IP [a]
30A
Typ
TRIAC
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi